公司概要:

AET的技术专长为替高压的MOSFET 以及IGBT元件制造公司，提供较厚的外延层（> 20 微米）和多层的外延层服务。我们并已研发成功在低电阻的硅片上成长超高电阻ultra-high resistivity (UHR) 外延层的技术。

我们的外延反应炉为改良型G3E。其中包括induction heating和three-port Injection等功能。

略历:
1996年3月: 公司成立于美国加州佛利蒙市。
1996年9月: AET 成功的制造了第一片外延片。
1997年1月: 开始量产硅外延片。
1997年10月:安装并测试第一台G4实验反应炉。
2000年10月: ISO 9002-1994 验证通过。.
September 2003:	A paper on MIS sensors based on AET's UHR epi layer presented on the European Solid-State Electronic Devices Conference (ESSDERC) in Lisbon, Portugal. Read it here.
2003年10月: ISO 9001-2000验证通过。.